企业简介
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浙江正邦电力电子有限公司的商标信息
序号 | 注册号 | 商标 | 商标名 | 申请时间 | 商品服务列表 | 内容 |
1 | 10581920 | ![]() |
震邦 ZB | 2012-03-07 | 计算磁盘;智能卡(集成电路卡);计数器;电话答录机;摄像机;硅外延片;芯片(集成电路);电子芯片;闭路器;工业遥控操作用电气设备 | 查看详情 |
浙江正邦电力电子有限公司的专利信息
序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
1 | CN105448807A | 一种半导体器件芯片对通隔离制造工艺 | 2016.03.30 | 本发明涉及一种半导体器件芯片对通隔离制造工艺,它通过双面氧化、双面光刻,激光开槽,然后在闭管真空环境 |
2 | CN204866671U | 一种节水型冲洗槽 | 2015.12.16 | 本实用新型涉及一种节水型冲洗槽,包括一个冲洗槽本体,其特征是:该冲洗槽本体由内隔板分成若干冲洗工位, |
3 | CN204866808U | 一种排风操作柜 | 2015.12.16 | 本实用新型涉及一种排风操作柜,包括顶部和侧面分别设有排风管和操作窗口的操作柜本体,其特征是:所述操作 |
4 | CN103035491B | 一种电力半导体芯片台面处理方法 | 2015.11.18 | 本发明涉及一种电力半导体芯片台面处理方法,包括对芯片台面依次进行腐蚀、清洗和烘干处理,其特征是:腐蚀 |
5 | CN103132112B | 一种硅电力电子器件钼片镀镍方法 | 2015.10.07 | 本发明涉及一种硅电力电子器件钼片镀镍方法,其特征是:所述钼片放入滚筒内一起浸入镀液中滚镀,镀液中含硫 |
6 | CN103151263B | 一种晶闸管芯片制备方法 | 2015.08.19 | 本发明涉及一种晶闸管芯片制备方法,其中铝对通扩散方法中采用先光刻和腐蚀挖槽,然后依次对硅片进行双面蒸 |
7 | CN203013695U | 电力半导体芯片台面处理用模具 | 2013.06.19 | 本实用新型涉及一种电力半导体芯片台面处理用模具,包括一长方形耐腐蚀篮,其特征是:所述耐腐蚀篮中设有与 |
8 | CN203002967U | 二极管芯片焊片成型模具 | 2013.06.19 | 本实用新型涉及一种二极管芯片焊片成型模具,包括上模具板和下模具板,上模具板左右两边分别设有安装孔和定 |
9 | CN103151263A | 一种晶闸管芯片制备方法 | 2013.06.12 | 本发明涉及一种晶闸管芯片制备方法,其中铝对通扩散方法中采用先光刻和腐蚀挖槽,然后依次对硅片进行双面蒸 |
10 | CN103132112A | 一种硅电力电子器件钼片镀镍方法 | 2013.06.05 | 本发明涉及一种硅电力电子器件钼片镀镍方法,其特征是:所述钼片放入滚筒内一起浸入镀液中滚镀,镀液中含硫 |
11 | CN103035491A | 一种电力半导体芯片台面处理方法 | 2013.04.10 | 本发明涉及一种电力半导体芯片台面处理方法,包括对芯片台面依次进行腐蚀、清洗和烘干处理,其特征是:腐蚀 |
12 | CN202572113U | 一种硅电力电子器件磨角机 | 2012.12.05 | 本实用新型涉及一种硅电力电子器件磨角机,包括机架、吸片头和磨角头,机架上设有真空吸片装置、吸片头旋转 |
13 | CN202042486U | 耐高温大功率晶闸管 | 2011.11.16 | 本实用新型公开了一种耐高温大功率晶闸管,旨在提供一种结温高、承受的电流密度大的耐高温大功率晶闸管。它 |
14 | CN102184951A | 耐高温大功率晶闸管 | 2011.09.14 | 本发明公开了一种耐高温大功率晶闸管,旨在提供一种结温高、承受的电流密度大的耐高温大功率晶闸管。它包括 |
15 | CN201956356U | 方形晶闸管芯片 | 2011.08.31 | 本实用新型公开了一种方形晶闸管芯片,旨在提供一种节省材料,节约成本的方形晶闸管。包括门极、阴极、硅片 |
16 | CN101789382B | 钛镍银多层金属电力半导体器件电极的制备方法 | 2011.07.20 | 本发明涉及一种钛镍银多层金属电力半导体器件电极的制备方法,其先用真空电子束蒸发方式按序分别将钛镍银三 |
17 | CN201741683U | 一种电力半导体器件 | 2011.02.09 | 本实用新型涉及含有多层金属电极的一种电力半导体器件,包括底座、下衬底、硅片、上衬底和外引线,其特征是 |
18 | CN201663163U | 高压反接二极管芯片 | 2010.12.01 | 本实用新型涉及一种高压反接二极管芯片,包括经过扩散的硅片、上衬底和下衬底,该上、下两衬底分别与所述硅 |
19 | CN201663710U | 高精度半导体芯片测试热板 | 2010.12.01 | 本实用新型涉及一种高精度半导体芯片测试热板,包括金属板、电炉丝、温控器和热电偶,该金属板置于电炉丝上 |
20 | CN101789382A | 钛镍银多层金属电力半导体器件电极的制备方法 | 2010.07.28 | 本发明涉及一种钛镍银多层金属电力半导体器件电极的制备方法,其先用真空电子束蒸发方式按序分别将钛镍银三 |
21 | CN101202313A | 超快恢复二极管 | 2008.06.18 | 本发明公开了一种超快恢复二极管,绝缘外壳内设有二极管芯片,其特征在于所述的二极管芯片的阴极焊接在铜电 |
22 | CN201117653Y | 超快恢复二极管 | 2008.09.17 | 本实用新型公开了一种超快恢复二极管,绝缘外壳内设有二极管芯片,其特征在于所述的二极管芯片的阴极焊接在 |
23 | CN201117662Y | 超快恢复二极管芯片 | 2008.09.17 | 本实用新型公开了一种超快恢复二极管芯片,包括硅片,其特征在于所述的硅片上、下表面均设有与硅片热膨胀系 |
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