浙江正邦电力电子有限公司
企业简介
  浙江正邦电力电子有限公司是一家专业从事电力半导体芯片产品开发、生产与销售的高新技术企业,专注于技术提升、团队建设、管理完善、市场开拓和运作模式的创新,同步于我国电力电子产业的快速发展,正邦电子公司在电力半导体芯片的开发、生产和市场开拓等方面已取得初步成功。经过几年的快速发展,正邦电子公司已成为我国电力半导体芯片的重要生产者,公司的技术水平、营业规模、盈利能力等各项指标在同行中名列前茅,成为本行业活力的企业之一,并逐步成为地区性行业领军企业。 2001年正邦电力电子有限公司进入电力半导体芯片制造领域,2002年初步形成生产规模,2005年底,公司位于五东工业园区的生产基地建设完成,顺利投产。此,正邦电子技术装备水平、生产能力步入同行先进行列,为公司发展创造了更加广阔的空间,标志着正邦电子公司进入新的发展阶段。 公司拥有一个敢于开拓、锐意进取、勇于创新的技术型领导集体,拥有一支高水平、高素质的科研开发队伍,与多家高校及科研院所协作关系紧密,并不断消化吸收国外先进的技术成果,建立了相当完善的开发体系。 公司秉承“致力创新,持续发展”的核心理念,以“团结,创新”为基点,本着“实事求是,团结奋斗,雷厉风行”的工作作风,上下一心,朝着“营造品牌,构筑企业集团,成为我国电力半导体芯片主要生产基地”的宏伟目标忠诚实践着。 企业主要负责人简介 项卫光,男,38岁,大学文化,工程师,1990年毕业于杭州大学物理系,后在西安理工理工大学进修电力半导体器件设计与生产技术。十多年来一直从事电力半导体器件的设计生产与市场开拓,具备丰富的经营管理和市场营销经验。曾担任浙江四方电子有限公司技术部经理、总工程师等职。2002年起担任浙江正邦电力电子有限公司总经理,他勤奋好学,精力充沛,具有强烈的开拓创新意识和不满足现状的进取精神,是一位科技型企业。 徐伟,男,39岁,本科学历,工程师。1990年毕业于西北工业大学自动控制系,后在西安理工大学进修电力半导体器件设计和生产技术。毕业后徐伟同志曾任职于浙江四方电子有限公司,先后担任车间主任\部门经理\副总,省级技术中心主任等,现任浙江正邦电力电子有限公司常务副总经理。 徐伟同志有十多年从事电力半导体器件工作经验,对新产品研制开发具有扎实的理论基础和较丰富的实践经验,他主持和参与了多个新产品的设计开发工作,引入多项半导体器件生产的新技术、新工艺。2004年承担火炬计划项目和商务部高新技术出口产品开发项目,2003年起承担省部级项目6项。同时,他创建了四方电力半导体器件高新技术研发中心、浙江省中小企业技术服务中心两个省级技术中心。鉴于他在本行业所作出的重要贡献,被中共缙云县委组织部评为专业技术拔尖人才。
浙江正邦电力电子有限公司的商标信息
序号 注册号 商标 商标名 申请时间 商品服务列表 内容
1 10581920 震邦 ZB 2012-03-07 计算磁盘;智能卡(集成电路卡);计数器;电话答录机;摄像机;硅外延片;芯片(集成电路);电子芯片;闭路器;工业遥控操作用电气设备 查看详情
浙江正邦电力电子有限公司的专利信息
序号 公布号 发明名称 公布日期 摘要
1 CN105448807A 一种半导体器件芯片对通隔离制造工艺 2016.03.30 本发明涉及一种半导体器件芯片对通隔离制造工艺,它通过双面氧化、双面光刻,激光开槽,然后在闭管真空环境
2 CN204866671U 一种节水型冲洗槽 2015.12.16 本实用新型涉及一种节水型冲洗槽,包括一个冲洗槽本体,其特征是:该冲洗槽本体由内隔板分成若干冲洗工位,
3 CN204866808U 一种排风操作柜 2015.12.16 本实用新型涉及一种排风操作柜,包括顶部和侧面分别设有排风管和操作窗口的操作柜本体,其特征是:所述操作
4 CN103035491B 一种电力半导体芯片台面处理方法 2015.11.18 本发明涉及一种电力半导体芯片台面处理方法,包括对芯片台面依次进行腐蚀、清洗和烘干处理,其特征是:腐蚀
5 CN103132112B 一种硅电力电子器件钼片镀镍方法 2015.10.07 本发明涉及一种硅电力电子器件钼片镀镍方法,其特征是:所述钼片放入滚筒内一起浸入镀液中滚镀,镀液中含硫
6 CN103151263B 一种晶闸管芯片制备方法 2015.08.19 本发明涉及一种晶闸管芯片制备方法,其中铝对通扩散方法中采用先光刻和腐蚀挖槽,然后依次对硅片进行双面蒸
7 CN203013695U 电力半导体芯片台面处理用模具 2013.06.19 本实用新型涉及一种电力半导体芯片台面处理用模具,包括一长方形耐腐蚀篮,其特征是:所述耐腐蚀篮中设有与
8 CN203002967U 二极管芯片焊片成型模具 2013.06.19 本实用新型涉及一种二极管芯片焊片成型模具,包括上模具板和下模具板,上模具板左右两边分别设有安装孔和定
9 CN103151263A 一种晶闸管芯片制备方法 2013.06.12 本发明涉及一种晶闸管芯片制备方法,其中铝对通扩散方法中采用先光刻和腐蚀挖槽,然后依次对硅片进行双面蒸
10 CN103132112A 一种硅电力电子器件钼片镀镍方法 2013.06.05 本发明涉及一种硅电力电子器件钼片镀镍方法,其特征是:所述钼片放入滚筒内一起浸入镀液中滚镀,镀液中含硫
11 CN103035491A 一种电力半导体芯片台面处理方法 2013.04.10 本发明涉及一种电力半导体芯片台面处理方法,包括对芯片台面依次进行腐蚀、清洗和烘干处理,其特征是:腐蚀
12 CN202572113U 一种硅电力电子器件磨角机 2012.12.05 本实用新型涉及一种硅电力电子器件磨角机,包括机架、吸片头和磨角头,机架上设有真空吸片装置、吸片头旋转
13 CN202042486U 耐高温大功率晶闸管 2011.11.16 本实用新型公开了一种耐高温大功率晶闸管,旨在提供一种结温高、承受的电流密度大的耐高温大功率晶闸管。它
14 CN102184951A 耐高温大功率晶闸管 2011.09.14 本发明公开了一种耐高温大功率晶闸管,旨在提供一种结温高、承受的电流密度大的耐高温大功率晶闸管。它包括
15 CN201956356U 方形晶闸管芯片 2011.08.31 本实用新型公开了一种方形晶闸管芯片,旨在提供一种节省材料,节约成本的方形晶闸管。包括门极、阴极、硅片
16 CN101789382B 钛镍银多层金属电力半导体器件电极的制备方法 2011.07.20 本发明涉及一种钛镍银多层金属电力半导体器件电极的制备方法,其先用真空电子束蒸发方式按序分别将钛镍银三
17 CN201741683U 一种电力半导体器件 2011.02.09 本实用新型涉及含有多层金属电极的一种电力半导体器件,包括底座、下衬底、硅片、上衬底和外引线,其特征是
18 CN201663163U 高压反接二极管芯片 2010.12.01 本实用新型涉及一种高压反接二极管芯片,包括经过扩散的硅片、上衬底和下衬底,该上、下两衬底分别与所述硅
19 CN201663710U 高精度半导体芯片测试热板 2010.12.01 本实用新型涉及一种高精度半导体芯片测试热板,包括金属板、电炉丝、温控器和热电偶,该金属板置于电炉丝上
20 CN101789382A 钛镍银多层金属电力半导体器件电极的制备方法 2010.07.28 本发明涉及一种钛镍银多层金属电力半导体器件电极的制备方法,其先用真空电子束蒸发方式按序分别将钛镍银三
21 CN101202313A 超快恢复二极管 2008.06.18 本发明公开了一种超快恢复二极管,绝缘外壳内设有二极管芯片,其特征在于所述的二极管芯片的阴极焊接在铜电
22 CN201117653Y 超快恢复二极管 2008.09.17 本实用新型公开了一种超快恢复二极管,绝缘外壳内设有二极管芯片,其特征在于所述的二极管芯片的阴极焊接在
23 CN201117662Y 超快恢复二极管芯片 2008.09.17 本实用新型公开了一种超快恢复二极管芯片,包括硅片,其特征在于所述的硅片上、下表面均设有与硅片热膨胀系
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